歡迎來(lái)到北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司！
服務(wù)熱線：010-64824799
歡迎來(lái)到北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司！
服務(wù)熱線：010-64824799
產(chǎn)品分類
Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
CM75YE13-12F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM75YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
5038
CM150YE4-12F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM150YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3819
CM110YE4-12F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM110YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
4472
CM165YE4-12F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM165YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
4236
CM200YE4-12F北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM200YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
4634
CM300E2U-12H北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300E2U-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3628
CM300E3Y-12E北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3682
CM200E3U-12E北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM200E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3271
P
PRODUCTSN
NEWSA
ABOUT USC
CODE
聯(lián)系電話：15010040708
聯(lián)系郵箱：1316056746@qq.com
公司地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)中東路398號(hào)
Copyright © 2025 北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司版權(quán)所有 備案號(hào)：京ICP備13035189號(hào)-3 技術(shù)支持：智能制造網(wǎng)
相關(guān)文章
您的位置：